首页 > 商品目录 > > > DDA113TU-7-F代替型号比较

DDA113TU-7-F  与  PUMB11,115  区别

型号 DDA113TU-7-F PUMB11,115
唯样编号 A36-DDA113TU-7-F-0 A36-PUMB11,115
制造商 Diodes Incorporated Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 200mW 300mW
特征频率fT 250MHz 180MHz
集电极-射极饱和电压 300mV -150mV
封装/外壳 SOT-363 SOT-363
VCBO - -50V
工作温度 - -65°C~150°C
VEBO - -10V
尺寸 - 2.1*1.25*0.95
集电极连续电流 100mA -100mA
直流电流增益hFE 100 30
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -50V
晶体管类型 2PNP 2PNP
R1 1k Ohms -
库存与单价
库存 6,000 1,204
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
210+ :  ¥0.2444
3,000+ :  ¥0.216
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DDA113TU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

300mV 100 SOT-363 200mW 50V 100mA 250MHz 2PNP

¥0.2444 

阶梯数 价格
210: ¥0.2444
3,000: ¥0.216
6,000 当前型号
PUMB11,115 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-363 300mW -50V -100mA -150mV 30 180MHz 2PNP

暂无价格 3,950 对比
UMB11NTN ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP

¥1.7249 

阶梯数 价格
90: ¥1.7249
100: ¥1.6674
300: ¥1.0641
500: ¥0.9248
1,000: ¥0.8254
3,000 对比
UMB11NTN ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP

¥1.7249 

阶梯数 价格
90: ¥1.7249
100: ¥1.6674
300: ¥1.0641
500: ¥0.9248
1,000: ¥0.8254
1,394 对比
UMB11NTN ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP

暂无价格 200 对比
UMB11NTN ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW -50V -100mA -300mV 30 250MHz PNP

¥2.0204 

阶梯数 价格
1: ¥2.0204
100: ¥1.1031
1,500: ¥0.6751
3,000: ¥0.4888
100 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售