DDTC114GE-7-F 与 DTC114EETL 区别
| 型号 | DDTC114GE-7-F | DTC114EETL | ||||||
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| 唯样编号 | A36-DDTC114GE-7-F | A36-DTC114EETL | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 | DTC114EE Series EMT-3 50 V 100 mA NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| R2 | - | 10K Ohms | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 150mW | ||||||
| 特征频率fT | - | 250MHz | ||||||
| 产品特性 | 带阻/预偏置 | - | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | - | 300mV | ||||||
| 封装/外壳 | - | SOT-416 | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||
| 集电极连续电流 | - | 50mA | ||||||
| 直流电流增益hFE | - | 30 | ||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | - | 50V | ||||||
| 晶体管类型 | - | NPN | ||||||
| R1 | - | 10K Ohms | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 38,884 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DDTC114GE-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
带阻/预偏置 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DTC114EETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW 50V 50mA 300mV 30 250MHz NPN |
￥0.0875
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12,580 | 对比 | ||||||||||
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PDTC114EU,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 50V 100mA 150mV 30 230MHz NPN |
暂无价格 | 7,240 | 对比 | ||||||||||
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PDTC114ET,215 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW 50V 100mA 150mV 30 230MHz NPN |
暂无价格 | 3,460 | 对比 | ||||||||||
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DTC143TETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-416 150mW 50V 100mA 150mV 100 250MHz NPN |
￥0.895
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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DTC115TETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
EMT NPN |
￥0.2703
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2,950 | 对比 |
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