ZXTN25012EFHTA 与 MMBT2484LT1G 区别
| 型号 | ZXTN25012EFHTA | MMBT2484LT1G | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-ZXTN25012EFHTA | A36-MMBT2484LT1G | ||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 1.25W | - | ||||||||
| 电流-集电极截止(最大值) | - | 10nA(ICBO) | ||||||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - | 100mA | ||||||||
| 功率 | - | 0.225W | ||||||||
| 特征频率fT | 260MHz | - | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 190mV | - | ||||||||
| 不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) | - | 350mV @ 100µA,1mA | ||||||||
| FET类型 | - | NPN | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||||
| 不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | - | 250 @ 1mA,5V | ||||||||
| VCBO | 20V | - | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 60V | ||||||||
| VEBO | 7V | - | ||||||||
| 集电极连续电流 | 6A | - | ||||||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 0.1A | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 300 | - | ||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 12V | - | ||||||||
| 晶体管类型 | NPN | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,888 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价(含税) |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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ZXTN25012EFHTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 1.25W 12V 6A 190mV 300 260MHz NPN |
¥1.518
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2,888 | 当前型号 | ||||||||||
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2SC3838KT146N | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 11V 50mA 500mV 56 3.2GHz NPN |
¥0.7061
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1,090 | 对比 | ||||||||||
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2SC3838KT146N | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 11V 50mA 500mV 56 3.2GHz NPN |
暂无价格 | 310 | 对比 | ||||||||||
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2SC3838KT146P | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 11V 50mA 500mV 82 3.2GHz NPN |
暂无价格 | 80 | 对比 | ||||||||||
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MMBT3904LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 300mW 40V 200mA 300mV 100 300MHz NPN |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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2SC3838KT146N | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW 11V 50mA 500mV 56 3.2GHz NPN |
暂无价格 | 0 | 对比 |