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IRF7313TRPBF  与  AO4842  区别

型号 IRF7313TRPBF AO4842
唯样编号 B-IRF7313TRPBF-1 A-AO4842
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 30 V 2 W 33 nC Generation V Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 41
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@5.8A,10V 21mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 30mΩ
Qgd(nC) - 1.7
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 4.5
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 6.5A 7.7A
Ciss(pF) - 373
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 10.5
Td(off)(ns) - 14.9
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) - 4.5
VGS(th) - 2.6
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
Coss(pF) - 67
Qg*(nC) - 3.5
库存与单价
库存 60,000 0
工厂交货期 21 - 42天 56 - 70天
单价(含税)
4,000+ :  ¥2.985
8,000+ :  ¥2.9353
12,000+ :  ¥2.9353
16,000+ :  ¥2.8855
暂无价格
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