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IRF7313TRPBF  与  ZXMN3G32DN8TA  区别

型号 IRF7313TRPBF ZXMN3G32DN8TA
唯样编号 B-IRF7313TRPBF-1 A-ZXMN3G32DN8TA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single HexFet 30 V 2 W 33 nC Generation V Surface Mount Mosfet - SOIC-8 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@5.8A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.8W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 28mΩ@6A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 472pF @ 15V
FET类型 N-Channel 2N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 10.5nC @ 10V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 6.5A 5.5A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
库存与单价
库存 48,000 0
工厂交货期 21 - 42天 56 - 70天
单价(含税)
4,000+ :  ¥2.9353
8,000+ :  ¥2.8358
12,000+ :  ¥2.8358
16,000+ :  ¥2.786
暂无价格
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