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IRF7313TRPBF  与  SP8K2TB  区别

型号 IRF7313TRPBF SP8K2TB
唯样编号 B-IRF7313TRPBF-1 A-SP8K2TB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single HexFet 30 V 2 W 33 nC Generation V Surface Mount Mosfet - SOIC-8 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@5.8A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
功率-最大值 - 2W
Pd-功率耗散(Max) 2W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 520pF @ 10V
FET类型 N-Channel 2 N-通道(双)
封装/外壳 8-SO 8-SOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.5A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
FET功能 - 逻辑电平门
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 30 毫欧 @ 6A,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 6A
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 10.1nC @ 5V
库存与单价
库存 60,000 0
工厂交货期 21 - 42天 56 - 70天
单价(含税)
4,000+ :  ¥2.985
8,000+ :  ¥2.9353
12,000+ :  ¥2.9353
16,000+ :  ¥2.8855
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