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IRF7313TRPBF  与  DMG4822SSD-13  区别

型号 IRF7313TRPBF DMG4822SSD-13
唯样编号 B-IRF7313TRPBF-1 A3-DMG4822SSD-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 30 V 2 W 33 nC Generation V Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 29mΩ@5.8A,10V 20mΩ
上升时间 - 7.9ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.42W
Qg-栅极电荷 - 10.5nC
栅极电压Vgs - 25V
典型关闭延迟时间 - 14.6ns
正向跨导 - 最小值 - 200mS
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 6.5A 10A
系列 HEXFET® DMG4822
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
下降时间 - 3.1ns
典型接通延迟时间 - 2.9ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V -
库存与单价
库存 60,000 0
工厂交货期 21 - 42天 56 - 70天
单价(含税)
4,000+ :  ¥2.985
8,000+ :  ¥2.9353
12,000+ :  ¥2.9353
16,000+ :  ¥2.8855
暂无价格
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