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MOSFET (38,186)

过滤结果 : 38,172

品牌

封装/外壳

工作温度

连续漏极电流Id

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商品
描述
关键参数
单价(含税)
库存
JJW(捷捷微)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

SOT-23 P-Channel -55°C~150°C ±20V -30V -4.1A 55mΩ@-4A,-10V 1.51W

封装/外壳 : SOT-23

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : -30V

连续漏极电流Id : -4.1A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 55mΩ@-4A,-10V

Pd-功率耗散(Max) : 1.51W

3,000+:¥0.1690
402,000+:¥0.1200

库存: 202,935

MPQ:3,000

交期:3天-5天

GP(格瑞宝)
授权代理品牌

自营

功率MOSFET

SOT-23 P-Channel -55°C~150°C ±12V -30V -4.2A 65mΩ@-4.2A,-10V 0.35W

封装/外壳 : SOT-23

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : -30V

连续漏极电流Id : -4.2A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 65mΩ@-4.2A,-10V

Pd-功率耗散(Max) : 0.35W

3,000+:¥0.0963

库存: 201,570

MPQ:3,000

交期:3天-5天

别名:

NX138AKS

Nexperia(安世)
授权代理品牌

自营

小信号MOSFET

MOSFET 2 N-CH 60V 170MA 6TSSOP

封装/外壳 : SOT363

FET类型 : 2N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 0.17A

Pd-功率耗散(Max) : 0.265W

1+:¥0.4714
100+:¥0.3571
1,000+:¥0.2790
1,500+:¥0.2287
3,000+:¥0.1988

库存: 201,318

MPQ:3,000

交期:3天-5天

别名:

NX7002AK

Nexperia(安世)
授权代理品牌

自营

小信号MOSFET

MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB

封装/外壳 : TO-236AB

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 0.3A

Pd-功率耗散(Max) : 0.265W

找替代
1+:¥0.1612
100+:¥0.1221
1,000+:¥0.0954
1,500+:¥0.0782
3,000+:¥0.0680

库存: 201,113

MPQ:3,000

交期:3天-5天

别名:

PMV33UPE

Nexperia(安世)
授权代理品牌

自营

小信号MOSFET

MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB

封装/外壳 : SOT23

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±8V

漏源极电压Vds : -20V

连续漏极电流Id : -5.3A

Pd-功率耗散(Max) : 0.49W

找替代
1+:¥2.2153
100+:¥1.6783
1,000+:¥1.3111
1,500+:¥1.0747
3,000+:¥0.9345

库存: 200,964

MPQ:3,000

交期:3天-5天

通用MOSFET

SOT-23 P-Channel -55℃~150℃ ±12V -30V -4.2A 90mΩ@-1A,-2.5V 0.35W

封装/外壳 : SOT-23

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : -30V

连续漏极电流Id : -4.2A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 90mΩ@-1A,-2.5V

Pd-功率耗散(Max) : 0.35W

库存: 200,050

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

别名:

PMV55ENEA

Nexperia(安世)
授权代理品牌

自营

小信号MOSFET

MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB

封装/外壳 : SOT23

FET类型 : N-Channel

工作温度 : 175℃

栅极电压Vgs : 20V,1.7V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 3.3A

Pd-功率耗散(Max) : 0.573W

产品特性 : 车规

找替代
1+:¥1.6943
100+:¥1.2836
1,000+:¥1.0028
1,500+:¥0.8220
3,000+:¥0.7148

库存: 200,020

MPQ:3,000

交期:3天-5天

别名:

BSS138BK

Nexperia(安世)
授权代理品牌

自营

小信号MOSFET

N-Channel 60 V 1.6 Ohm 350 mW 0.7 nC Surface Mount Trench MOSFET - SOT-23

封装/外壳 : SOT23

FET类型 : N-Channel

工作温度 : 150℃

栅极电压Vgs : 1.1V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 0.36A

Pd-功率耗散(Max) : 0.35W

产品特性 : 车规

找替代
560+:¥0.2819
1,000+:¥0.2203
1,500+:¥0.1805
3,000+:¥0.1570

库存: 200,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

封装/外壳 : SOT-23-3

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : -12V

连续漏极电流Id : -6A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 30mΩ@-6A,-4.5V

Pd-功率耗散(Max) : 1.8W

库存: 200,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

功率MOSFET

PDFN5x6-8L N-Channel -55℃~150℃ ±18V 45V 60A 6.5mΩ@19A,10V 39W

封装/外壳 : PDFN5x6-8L

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±18V

漏源极电压Vds : 45V

连续漏极电流Id : 60A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 6.5mΩ@19A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 39W

库存: 200,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

GP(格瑞宝)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

SOT-23-6 P-Channel -55℃~150℃ ±12V -20V -3A 150mΩ@-1.6A,-1.8V 0.96W

封装/外壳 : SOT-23-6

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : -20V

连续漏极电流Id : -3A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 150mΩ@-1.6A,-1.8V

Pd-功率耗散(Max) : 0.96W

库存: 200,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

JJW(捷捷微)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

SOT-23 N-Channel ±12V 30V 5.8A 26mΩ@10V

封装/外壳 : SOT-23

FET类型 : N-Channel

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 5.8A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 26mΩ@10V

3,000+:¥0.1259

库存: 200,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

JJW(捷捷微)
授权代理品牌

自营

功率MOSFET

PDFN5x6-8L N-Channel -55℃~150℃ ±20V 60V 70A 5.8mΩ@30A,10V 70W

封装/外壳 : PDFN5x6-8L

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 70A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 5.8mΩ@30A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 70W

5,000+:¥1.1050

库存: 200,000

MPQ:5,000

交期:3天-5天

封装/外壳 : PDFN5x6S

库存: 200,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-5天

Vishay(威世)
授权代理品牌

自营

封装/外壳 : PowerPak1212-8

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~175°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 16A

Pd-功率耗散(Max) : 53W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 65mΩ

产品特性 : 车规

3,000+:¥2.9726

库存: 200,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

Vishay(威世)
授权代理品牌

自营

封装/外壳 : TO-252

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~175°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : -60V

连续漏极电流Id : -20A

Pd-功率耗散(Max) : 46W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 55mΩ@-19A,-10V

产品特性 : 车规

找替代
2,000+:¥3.0171

库存: 200,000

MPQ:2,000

交期:3天-5天

GP(格瑞宝)
授权代理品牌

自营

功率MOSFET

PDFN5X6-8L N-Channel -55℃~150℃ ±20V 60V 130A 156W 3mΩ@12A,10V

封装/外壳 : PDFN5X6-8L

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 130A

Pd-功率耗散(Max) : 156W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 3mΩ@12A,10V

库存: 200,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

封装/外壳 : SOT-523

库存: 200,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

封装/外壳 : SOT-523

库存: 200,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-5天

JJW(捷捷微)
授权代理品牌

自营

通用MOSFET

SOT-23 P-Channel ±12V -30V -4.2A 96mΩ@2.5V

封装/外壳 : SOT-23

FET类型 : P-Channel

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : -30V

连续漏极电流Id : -4.2A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 96mΩ@2.5V

3,000+:¥0.1200

库存: 200,000

MPQ:3,000

交期:3天-5天

20条/页

  • 20条/页
  • 50条/页
  • 100条/页
什么是MOSFET: 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。 MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。

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