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IGBT晶体管   535W -55°C~175°C(TJ) TO-247-3 TO-247

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制造商编号 NGTB40N120FL2WG
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A-NGTB40N120FL2WG
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
535W -55°C~175°C(TJ) TO-247-3 TO-247
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商品目录 IGBT晶体管
系列 NGTB40N120FL2
最低工作温度 - 55 C
标准包装数量 30
配置 Single
集电极-发射极Vceo 1200 V
集电极-发射极饱和电压 2 V
栅极发射机最大电压 30 V
连续集电极电流在25 C 80 A
栅射极漏电电流 200 nA
功率散耗 535 W
最高工作温度 + 175 C
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 200A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.4V @ 15V,40A
功率 535W
开关能量 3.4mJ(开),1.1mJ(关)
输入类型 标准
25°C 时 Td(开/关)值 116ns/286ns
测试条件 600V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 240ns
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
封装/外壳 TO-247-3
封装/外壳 TO-247
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商品简介

IGBT 分立,On Semiconductor

绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT),用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。

IGBT 分立,On Semiconductor

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