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BJT三极管   SOT-23 NPN 带阻/预偏置

特惠

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制造商编号 MMUN2214LT1G
制 造 商 ON(安森美)
唯样编号 A32-MMUN2214LT1G-3
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23   翻译
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商品目录 BJT三极管
电阻器-基底(R1)(欧姆) 10k
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) 47K Ohms
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流-集电极截止(最大值) 500nA
功率 0.246W
封装/外壳 SOT-23
集电极最大允许电流Ic 100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V
晶体管类型 NPN
产品特性 带阻/预偏置
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库存 :  2,800

价格梯度 单价(含税)
1 + ¥0.1586
50 + ¥0.1416
100 + ¥0.1263
500 + ¥0.1127
1,000 + ¥0.1008
¥2  
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特殊说明

生产日期  :  2112

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制造商编号 最近销量(PCS)
LMBT3904LT1G 2,523,000
LBSS4240LT1G 354,000
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LMBT4401LT1G 273,000
S-LMBT3904LT1G 126,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MMUN2214LT1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-23 NPN 带阻/预偏置

¥0.1586 

阶梯数 价格
1: ¥0.1586
50: ¥0.1416
100: ¥0.1263
500: ¥0.1127
1,000: ¥0.1008
2,800 当前型号
DTC114EKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 50mA 300mV 30 250MHz NPN

¥0.2759 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.2759
9,000: ¥0.2682
15,000: ¥0.266
30,000: ¥0.2617
1,539,000 对比
DTC114EKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 50mA 300mV 30 250MHz NPN

¥0.6078 

阶梯数 价格
90: ¥0.6078
200: ¥0.2757
1,500: ¥0.1725
3,000: ¥0.1369
343,523 对比
DTC114EKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 50mA 300mV 30 250MHz NPN

¥0.3028 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.3028
9,000: ¥0.2948
15,000: ¥0.2915
30,000: ¥0.2859
60,000: ¥0.2792
189,000 对比
DTC114YKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 70mA 300mV 68 250MHz NPN

¥0.302 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.302
9,000: ¥0.295
15,000: ¥0.2915
30,000: ¥0.2868
60,000: ¥0.2798
129,000 对比
DTC114YKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 70mA 300mV 68 250MHz NPN

¥0.3084 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.3084
9,000: ¥0.3016
15,000: ¥0.2971
30,000: ¥0.2925
60,000: ¥0.2859
105,000 对比
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