2SAR553P5T100 与 2SA2060(TE12L,F) 区别
| 型号 | 2SAR553P5T100 | 2SA2060(TE12L,F) | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-2SAR553P5T100 | A36-2SA2060(TE12L,F) | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Toshiba | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | TRANS PNP 50V 2A PW-MINI | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 500mW | - | ||||||||
| 功率 | - | 1 W | ||||||||
| 特征频率fT | 320MHz | - | ||||||||
| 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) | - | 200mV @ 33mA,1A | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -400mV | - | ||||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - | 2 A | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-89 | PW-MINI | ||||||||
| 电压-集射极击穿(最大值) | - | 50 V | ||||||||
| VCBO | -50V | - | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||||||||
| 集电极电流Ic | -2A | - | ||||||||
| VEBO | -6V | - | ||||||||
| 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) | - | 200 @ 300mA,2V | ||||||||
| 电流-集电极截止(最大值) | - | 100nA(ICBO) | ||||||||
| 集电极-发射极Vceo | -50V | - | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 180 | - | ||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 6,832 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2SAR553P5T100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 500mW -50V -2A PNP |
￥1.2735
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0 | 当前型号 | ||||||||
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2SAR553PHZGT100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 2W -50V -2A 车规 PNP |
￥0.7689
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12,000 | 对比 | ||||||||
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2SA2060(TE12L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
PW-MINI PNP |
￥1.464
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6,832 | 对比 | ||||||||
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PBSS5250X,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 1W -50V -2A 车规 PNP |
￥2.6688
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5,000 | 对比 | ||||||||
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2SAR553PHZGT100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 2W -50V -2A 车规 PNP |
￥2.9218
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960 | 对比 | ||||||||
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2SAR553PHZGT100 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-89 2W -50V -2A 车规 PNP |
暂无价格 | 284 | 对比 |
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