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AOT1608L  与  IRFB7545PBF  区别

型号 AOT1608L IRFB7545PBF
唯样编号 A-AOT1608L A-IRFB7545PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N Channel 60 V 5.9 mO 125 W Flange Mount HexFet Power MosFet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 56 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.6mΩ@10V 5.9mΩ@57A,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 21 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 18 -
封装/外壳 TO-220 TO-220
连续漏极电流Id 140A 95A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 3069 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4010pF @ 25V
Trr(ns) 40 -
Td(off)(ns) 47 -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 333W 125W(Tc)
Qrr(nC) 355 -
VGS(th) 3.7 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4010pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
Coss(pF) 721 -
Qg*(nC) 69 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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