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AOTF12N60L  与  IPAW60R600P7S  区别

型号 AOTF12N60L IPAW60R600P7S
唯样编号 A-AOTF12N60L A-IPAW60R600P7S
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 550 mΩ @ 6A,10V 600mΩ
漏源极电压Vds 600V 600V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 50W(Tc) -
Rth - 5.98K/W
栅极电压Vgs ±30V 3V,4V
RthJA max - 62.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 3.0nC
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 TO-220F TO-220 FullPAK
Mounting - THT
连续漏极电流Id 12A(Tc) 6A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -40°C~150°C
Ptot max - 21.0W
QG - 9.0nC
栅极电荷Qg 50nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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