首页 > 商品目录 > > > BC847BPDW1T1G代替型号比较

BC847BPDW1T1G  与  BC847BPN,115  区别

型号 BC847BPDW1T1G BC847BPN,115
唯样编号 A-BC847BPDW1T1G A-BC847BPN,115
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 BC Series 45 V 100 mA NPN/PNP Silicon Dual General Purpose Transistor - SOT-363 BC847BPN Series 45 V 100 mA SMT NPN/PNP General-Purpose Transistor - SOT-363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 0.38W 300mW
特征频率fT 100MHz,100MHz 100MHz
集电极-射极饱和电压 600mV,-650mV 300mV
封装/外壳 SOT-363 SOT-363
VCBO 50V,-50V 50V
工作温度 -55°C~150°C -65°C~150°C
VEBO 6V,-6V 5V
尺寸 - 2.1*1.25*0.95
集电极连续电流 100mA,-100mA 100mA
直流电流增益hFE 200,200 200
集电极-发射极最大电压VCEO 45V,-45V 45V
晶体管类型 NPN+PNP NPN+PNP
库存与单价
库存 0 3,219
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BC847BPDW1T1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 0.38W 45V,-45V 100mA,-100mA 600mV,-650mV 200,200 100MHz,100MHz NPN+PNP

暂无价格 0 当前型号
BC847BPN,115 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-363 300mW 45V 100mA 300mV 200 100MHz NPN+PNP

暂无价格 3,219 对比
UMZ1NTR ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA 400mV,-500mV 120,120 180MHz,140MHz NPN+PNP

¥1.7249 

阶梯数 价格
90: ¥1.7249
100: ¥1.6674
300: ¥1.0641
500: ¥0.9248
1,000: ¥0.8254
3,000 对比
UMZ1NTR ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-363 150mW 50V,-50V 150mA,-150mA 400mV,-500mV 120,120 180MHz,140MHz NPN+PNP

¥1.7249 

阶梯数 价格
90: ¥1.7249
100: ¥1.6674
300: ¥1.0641
393 对比
MMDT4413-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-363 200mW 40V,-40V 600mA,-600mA -750mV,750mV 100,100 250MHz,200MHz NPN+PNP

暂无价格 0 对比
BC 847PN H6327 Infineon  数据手册 BJT三极管

SOT-363 250mW 45V 100mA 650mV 200 250MHz NPN+PNP

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售