BC857BV,115 与 EMT1T2R 区别
| 型号 | BC857BV,115 | EMT1T2R | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BC857BV,115 | A3-EMT1T2R | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT666 | EMT1 Series 50 V 150 mA SMT Dual PNP General Purpose Transistor - EMT1 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | 150mW | ||||||||
| 特征频率fT | 100MHz | 140MHz | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -400mV | -500mV | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-666 | SOT-563 | ||||||||
| VCBO | -50V | -60V | ||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 集电极电流Ic | -100mA | -150mA | ||||||||
| VEBO | -5V | -6V | ||||||||
| 尺寸 | 1.6*1.2*0.55 | - | ||||||||
| 集电极-发射极Vceo | -45V | -50V | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 200 | 120 | ||||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 12,000 | 47,910 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BC857BV,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 300mW -45V -100mA PNP |
￥2.1456
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12,000 | 当前型号 | ||||||||||
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EMT1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -150mA PNP |
暂无价格 | 47,910 | 对比 | ||||||||||
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EMT1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -150mA PNP |
￥1.2826
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8,000 | 对比 | ||||||||||
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EMT52T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -100mA PNP |
￥1.2114
|
8,000 | 对比 | ||||||||||
|
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EMT52T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -100mA PNP |
￥0.8254
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5,860 | 对比 | ||||||||||
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EMT1T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW -50V -150mA PNP |
￥0.5985
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4,452 | 对比 |
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