BCM856DS,115 与 IMT1AT110 区别
| 型号 | BCM856DS,115 | IMT1AT110 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-BCM856DS,115 | A33-IMT1AT110 | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||
| 描述 | TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSOP | IMT1A Series -50 V -150 mA Dual PNP General Purpose Transistor - SMT-6 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 380mW | 300mW | ||||||||
| 特征频率fT | 175MHz | 140MHz | ||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -400mV | -500mV | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-457 | SOT-457 | ||||||||
| VCBO | -80V | -60V | ||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| VEBO | -5V | -6V | ||||||||
| 尺寸 | 2.9*1.5*1 | - | ||||||||
| 集电极连续电流 | -100mA | -150mA | ||||||||
| 直流电流增益hFE | 200 | 120 | ||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | -65V | -50V | ||||||||
| 晶体管类型 | 2PNP | PNP | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 60 | 1,694 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 21 - 28天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BCM856DS,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-457 380mW -65V -100mA -400mV 200 175MHz 车规 2PNP |
暂无价格 | 60 | 当前型号 | ||||||||||
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IMT1AT110 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-457 300mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
￥1.1883
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1,694 | 对比 | ||||||||||
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IMT1AT110 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-457 300mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
暂无价格 | 450 | 对比 | ||||||||||
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IMT1AT110 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-457 300mW -50V -150mA -500mV 120 140MHz PNP |
￥1.9213
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100 | 对比 | ||||||||||
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DMMT2907A-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23-6 1.28W -60V -600mA -1.6V 100 307MHz PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMMT2907A-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23-6 1.28W -60V -600mA -1.6V 100 307MHz PNP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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