BSN20BKR 与 DMN67D7L-7 区别
| 型号 | BSN20BKR | DMN67D7L-7 | ||||||||
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| 唯样编号 | A-BSN20BKR | A36-DMN67D7L-7 | ||||||||
| 制造商 | Nexperia | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB | MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 0.31W | 570mW(Ta) | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 5Ω@500mA,10V | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 22 pF @ 25 V | ||||||||
| 输出电容 | 3.1pF | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 20V,1V | ±40V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 0.821 nC @ 10 V | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT23 | SOT-23-3 | ||||||||
| 工作温度 | 150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 0.265A | 210mA(Ta) | ||||||||
| 驱动电压 | - | 5V,10V | ||||||||
| 输入电容 | 20.2pF | - | ||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 4000mΩ@2.5V,3200mΩ@5V,2800mΩ@10V | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 3,123 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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BSN20BKR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.31W 150°C 20V,1V 60V 0.265A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 370mW(Ta) 3Ω@115mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 60V 0.31A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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2N7002 H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
300mA 500mW(1/2W) 1.6Ω 60V 1.5V SOT-23-3 -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN67D7L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 570mW(Ta) ±40V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 210mA(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN67D7L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 570mW(Ta) ±40V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 210mA(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |