DDTC114WUA-7-F 与 RN1317(TE85L,F) 区别
| 型号 | DDTC114WUA-7-F | RN1317(TE85L,F) | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DDTC114WUA-7-F | A33-RN1317(TE85L,F) | ||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Toshiba | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率 | - | 100 mW | ||
| 电阻器-发射极(R2) | - | 4.7 kOhms | ||
| 产品特性 | 带阻/预偏置 | 带阻/预偏置 | ||
| 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) | - | 300mV @ 250uA,5mA | ||
| 产品状态 | - | 在售 | ||
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - | 100 mA | ||
| 电阻器-基极(R1) | - | 10 kOhms | ||
| 封装/外壳 | SOT-323-3 | SC-70 | ||
| 电压-集射极击穿(最大值) | - | 50 V | ||
| 频率-跃迁 | - | 250 MHz | ||
| 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) | - | 30 @ 10mA,5V | ||
| 电流-集电极截止(最大值) | - | 500nA | ||
| 晶体管类型 | - | NPN | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 30,000 | 771 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 21 - 28天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DDTC114WUA-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323-3 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 30,000 | 当前型号 | ||||||||
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DTC114EUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 50V 50mA NPN |
￥0.2475
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29,602 | 对比 | ||||||||
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DTC114WUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 50V 100mA NPN |
￥0.2265
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3,000 | 对比 | ||||||||
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RN1317(TE85L,F) | Toshiba | 数据手册 | BJT三极管 |
SC-70 NPN 带阻/预偏置 |
￥0.4114
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771 | 对比 | ||||||||
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DTC114WUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 50V 100mA NPN |
￥0.6347
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277 | 对比 | ||||||||
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DTC114WUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 50V 100mA NPN |
暂无价格 | 100 | 对比 |
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