DMG302PU-7 与 FDV302P 区别
| 型号 | DMG302PU-7 | FDV302P |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMG302PU-7 | A36-FDV302P |
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3 | Single P-Channel -25 V 0.35 W 0.31 nC DMOS Surface Mount Mosfet - SOT-23A-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 350mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 10 欧姆 @ 200mA,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 25V | 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 330mW | 350mW(Ta) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 10Ω@200mA,4.5V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 27.2 pF @ 10 V | - |
| 栅极电压Vgs | -8V | ±8V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 0.35 nC @ 4.5 V | - |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 170mA(Ta) | 0.12A |
| 驱动电压 | 2.7V,4.5V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 11pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.31nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.7V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 11pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.31nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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