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DMN10H170SK3Q-13  与  DMN10H170SK3-13  区别

型号 DMN10H170SK3Q-13 DMN10H170SK3-13
唯样编号 A-DMN10H170SK3Q-13 A-DMN10H170SK3-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 12A TO252 MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 12A(Tc) 12A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 42W(Tc) 42W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 140mΩ@5A,10V 140mΩ@5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1167 pF @ 25 V 1167 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 9.7 nC @ 10 V 9.7 nC @ 10 V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN10H170SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

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DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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