DMN2009LSS-13 与 IRF7476TRPBF 区别
| 型号 | DMN2009LSS-13 | IRF7476TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMN2009LSS-13 | A-IRF7476TRPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 2.5W(Ta) |
| 漏源极电压Vds | - | 12V |
| 栅极电压Vgs | - | ±12V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 4.5V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SO-8 | SO8 |
| 连续漏极电流Id | - | 15A(Ta) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 6V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.8V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1.9V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2550pF @ 6V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 8mΩ@15A,4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 40nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN2009LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRF7476TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 12V 15A(Ta) ±12V 2.5W(Ta) 8mΩ@15A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SO8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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