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DMN3018SFG-13  与  NTTFS4930NTAG  区别

型号 DMN3018SFG-13 NTTFS4930NTAG
唯样编号 A-DMN3018SFG-13 A-NTTFS4930NTAG
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-WDFN(3.3x3.3)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 8.5A(Ta) -
驱动电压 4.5V,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 21mΩ@10A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 697 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 N-Channel -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 13.2 nC @ 10 V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3018SFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

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