DMN3150L-7 与 RTR025N03TL 区别
| 型号 | DMN3150L-7 | RTR025N03TL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMN3150L-7 | A36-RTR025N03TL |
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 1.3 mm | 1.6 mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 85mΩ@3.6A,4.5V | 92mΩ@2.5A,4.5V |
| 上升时间 | 3.49 ns | 15 ns |
| 漏源极电压Vds | 28V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W(Ta) | 1W(Ta) |
| 典型关闭延迟时间 | 15.02 ns | 25 ns |
| 栅极电压Vgs | ±12V | 12V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23 | TSMT |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 3.8A | 2.5A |
| 系列 | DMN | RTR |
| 配置 | Single | Single |
| 通道数量 | 1 Channel | 1 Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.4V @ 250µA | 1.5V @ 1mA |
| 长度 | 2.9 mm | 2.9 mm |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 305pF @ 5V | 220pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 4.6nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,10V | 2.5V,4.5V |
| 典型接通延迟时间 | 1.14 ns | 9 ns |
| 下降时间 | - | 10 ns |
| 高度 | 1 mm | 0.85 mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN3150L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 85mΩ@3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 28V 3.8A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PMV100ENEAR | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.46W 150°C 20V,1.5V 30V 3A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
