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DMN6068SEQ-13  与  DMN6068SE-13  区别

型号 DMN6068SEQ-13 DMN6068SE-13
唯样编号 A-DMN6068SEQ-13 A-DMN6068SE-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 68mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2W(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - SOT-223
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 5.6A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 502pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.3nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6068SEQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

暂无价格 0 当前型号
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

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