DMN62D0LFB-7B 与 DMN62D0LFB-7 区别
| 型号 | DMN62D0LFB-7B | DMN62D0LFB-7 | ||||
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| 唯样编号 | A-DMN62D0LFB-7B | A36-DMN62D0LFB-7 | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN | DMN62D0LFB Series 60 V 100 mA N-Channel Enhancement Mode Mosfet - X1-DFN1006-3 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | - | 470mW(Ta) | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | X1-DFN1006-3 | DFN | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 0.1A | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 32pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 0.45nC @ 4.5V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.5V,4V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 2Ω@100mA,4V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 398 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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DMN62D0LFB-7B | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
X1-DFN1006-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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DMN62D0LFB-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 470mW(Ta) 2Ω@100mA,4V -55°C~150°C(TJ) DFN N-Channel 60V 0.1A |
￥0.5668
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398 | 对比 |
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