首页 > 商品目录 > > > DMNH10H028SK3Q-13代替型号比较

DMNH10H028SK3Q-13  与  IRLR2908PBF  区别

型号 DMNH10H028SK3Q-13 IRLR2908PBF
唯样编号 A-DMNH10H028SK3Q-13 A-IRLR2908PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 55A TO252 N-Channel 80 V 110 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 28mΩ@23A,10V
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 120W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 28mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2245 pF @ 50 V -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 36 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 55A(Tc) 39A
系列 - HEXFET®
驱动电压 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1890pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1890pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 33nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH10H028SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 当前型号
IRLR2908PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD35N10S3L-26_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD25CN10NGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD25CN10N G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD25CN10N G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD25CN10NGATMA1_6.5mm DPAK(TO-252)

暂无价格 0 对比
IPD35N10S3L-26 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD35N10S3L26ATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售