DMP3036SFV-7 与 RQ3E075ATTB 区别
| 型号 | DMP3036SFV-7 | RQ3E075ATTB | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-DMP3036SFV-7 | A32-RQ3E075ATTB-6 | ||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 15W(Tc) | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | PowerDI3333-8 | HSMT | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 7.5A | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 930pF @ 15V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10.4nC @ 4.5V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 23mΩ@7.5A,10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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DMP3036SFV-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RQ3E075ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 15W(Tc) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) HSMT P-Channel 30V 7.5A |
￥5.2733
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3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DMP3036SFV-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DMP3008SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 900mW(Ta) 17mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) PowerDI P-Channel 30V 8.6A |
￥2.068
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1,987 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E075ATTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 15W(Tc) 23mΩ@7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) HSMT P-Channel 30V 7.5A |
￥5.3758
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1,946 | 对比 | ||||||||||||||
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DMP3036SFV-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
￥1.892
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1,898 | 对比 |
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