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DMS3014SFG-7  与  IRFHM8342TRPBF  区别

型号 DMS3014SFG-7 IRFHM8342TRPBF
唯样编号 A-DMS3014SFG-7 A-IRFHM8342TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8 Single N-Channel 30 V 16 mO 5 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 16mΩ@17A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 2.6W(Ta),20W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 13mΩ@10.4A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4310 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 45.7 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.5A(Ta) 10A
系列 - HEXFET®
驱动电压 1.8V,4.5V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 560pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 560pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7.5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMS3014SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
IRFHM8342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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