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DMT6009LSS-13  与  IRF7855TRPBF  区别

型号 DMT6009LSS-13 IRF7855TRPBF
唯样编号 A-DMT6009LSS-13 A-IRF7855TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9.4mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 2.5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1925 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.5 nC @ 10 V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.8A(Ta) 12A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.9V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1560pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.9V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1560pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 39nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6009LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
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