首页 > 商品目录 > > > DMTH10H010LCTB-13代替型号比较

DMTH10H010LCTB-13  与  BUK969R3-100E,118  区别

型号 DMTH10H010LCTB-13 BUK969R3-100E,118
唯样编号 A-DMTH10H010LCTB-13 A-BUK969R3-100E,118
制造商 Diodes Incorporated Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.4W(Ta),166W(Tc) 263W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@13A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2592 pF @ 50 V -
输出电容 - 499pF
栅极电压Vgs ±20V 1.7V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 53.7 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-220AB SOT404
工作温度 -55℃~175℃(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 108A(Tc) 100A
驱动电压 10V -
输入电容 - 8739pF
Rds On(max)@Id,Vgs - 9.3mΩ@5V,8.9mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥15.2386
400+ :  ¥12.9141
800+ :  ¥11.8478
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH10H010LCTB-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
PSMN012-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN012-80BS_SOT404

¥8.7175 

阶梯数 价格
210: ¥8.7175
400: ¥7.3877
800: ¥6.7777
0 对比
BUK969R3-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK969R3-100E_SOT404

¥15.2386 

阶梯数 价格
210: ¥15.2386
400: ¥12.9141
800: ¥11.8478
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售