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DSS60601MZ4-13  与  PZT651T1G  区别

型号 DSS60601MZ4-13 PZT651T1G
唯样编号 A-DSS60601MZ4-13 A36-PZT651T1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
功率耗散Pd 3W 800mW
VCBO 100V 80V
工作温度 -55°C~150°C -65°C~150°C
特征频率fT 100MHz 75MHz
VEBO 6V 5V
集电极连续电流 6A 2A
集电极-射极饱和电压 300mV 500mV
直流电流增益hFE 120 75
集电极-发射极最大电压VCEO 60V 60V
晶体管类型 NPN NPN
库存与单价
库存 0 53
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.145
50+ :  ¥1.65
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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