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首页 > 商品目录 > > > DTA114EUAT106代替型号比较

DTA114EUAT106  与  RN2311(TE85L,F)  区别

型号 DTA114EUAT106 RN2311(TE85L,F)
唯样编号 A-DTA114EUAT106 A33-RN2311(TE85L,F)
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 DTA114EUA Series 50 V 100 mA Surface Mount PNP Digital Transistor - SC-70 TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 10K Ohms -
功率耗散Pd 200mW -
功率 - 100 mW
特征频率fT 250MHz -
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 250uA,5mA
产品特性 - 带阻/预偏置
集电极-射极饱和电压 -300mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100 mA
电阻器-基极(R1) - 10 kOhms
封装/外壳 SOT-323 SC-70
电压-集射极击穿(最大值) - 50 V
工作温度 -55°C~150°C -
集电极电流Ic -50mA -
频率-跃迁 - 200 MHz
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 120 @ 1mA,5V
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
集电极-发射极Vceo -50V -
直流电流增益hFE 30 -
晶体管类型 PNP PNP
R1 10K Ohms -
库存与单价
库存 98 2,740
工厂交货期 3 - 5天 28 - 35天
单价(含税)
1+ :  ¥0.4939
100+ :  ¥0.2638
3,000+ :  ¥0.1907
370+ :  ¥0.4114
2,000+ :  ¥0.3879
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DTA114EUAT106 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-323 200mW -50V -50mA PNP

¥0.4939 

阶梯数 价格
1: ¥0.4939
100: ¥0.2638
3,000: ¥0.1907
98 当前型号
PDTA143EU,115 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-323 200mW -50V -100mA 车规 PNP

¥0.7421 

阶梯数 价格
5: ¥0.7421
100: ¥0.5497
1,000: ¥0.4072
1,500: ¥0.3338
3,000: ¥0.2903
3,005 对比
DDTA123EUA-7-F Diodes Incorporated  数据手册 BJT三极管

SOT-323 200mW 50V 100mA PNP

¥0.4127 

阶梯数 价格
130: ¥0.4127
200: ¥0.2847
2,963 对比
PDTA124EU,115 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-323 200mW -50V -100mA 车规 PNP

¥0.7421 

阶梯数 价格
5: ¥0.7421
100: ¥0.5497
1,000: ¥0.4072
1,500: ¥0.3338
3,000: ¥0.2903
2,833 对比
RN2311(TE85L,F) Toshiba  数据手册 BJT三极管

SC-70 PNP 带阻/预偏置

¥0.4114 

阶梯数 价格
370: ¥0.4114
2,000: ¥0.3879
2,740 对比
RN2303(TE85L,F) Toshiba  数据手册 BJT三极管

SC-70 PNP 带阻/预偏置

¥0.8254 

阶梯数 价格
190: ¥0.8254
300: ¥0.8055
500: ¥0.6862
1,000: ¥0.5967
2,575 对比

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