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EMH3T2R  与  RN1910FE,LF(CT  区别

型号 EMH3T2R RN1910FE,LF(CT
唯样编号 A-EMH3T2R A-RN1910FE,LF(CT
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 150mW -
功率 - 100mW
特征频率fT 250MHz -
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 250uA,5mA
集电极-射极饱和电压 300mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100mA
电阻器-基极(R1) - 4.7 千欧
封装/外壳 SOT-563 ES6
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
VCBO 50V -
工作温度 -55℃~150℃ -
频率-跃迁 - 250MHz
VEBO 5V -
集电极连续电流 100mA -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 120 @ 1mA,5V
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
直流电流增益hFE 100 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
晶体管类型 NPN 2 个 NPN 预偏压式(双)
R1 4.7K Ohms -
库存与单价
库存 85 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥3.8365
100+ :  ¥2.0948
1,000+ :  ¥1.282
4,000+ :  ¥0.8141
8,000+ :  ¥0.5894
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
EMH3T2R ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-563

¥3.8365 

阶梯数 价格
1: ¥3.8365
100: ¥2.0948
1,000: ¥1.282
4,000: ¥0.8141
8,000: ¥0.5894
85 当前型号
PEMD6,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PEMD6_SOT-666

¥0.8243 

阶梯数 价格
750: ¥0.8243
1,000: ¥0.639
2,000: ¥0.5238
4,000: ¥0.4635
0 对比
RN1911FETE85LF Toshiba  数据手册 通用三极管

ES6

暂无价格 0 对比
RN1910FE,LF(CT Toshiba  数据手册 通用三极管

ES6

暂无价格 0 对比
PEMH7,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PEMH7_SOT-666

¥0.9679 

阶梯数 价格
640: ¥0.9679
1,000: ¥0.7169
2,000: ¥0.5601
4,000: ¥0.4591
0 对比
RN4990FE,LF(CT Toshiba  数据手册 通用三极管

ES6

暂无价格 0 对比

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