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GSOT12C-E3-08  与  MMBZ15VALT116  区别

型号 GSOT12C-E3-08 MMBZ15VALT116
唯样编号 A-GSOT12C-E3-08 A3-MMBZ15VALT116
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 TVS二极管 TVS二极管
描述 GSOT12C Series 1.2 V 150 pF Surface Mount Two-Line ESD-Protection - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
反向击穿电压Vbr-max 15V -
功率耗散Pd 337 W -
峰值脉冲电流Ipp - 1.9A
反向电压Vr 12V -
反向击穿电压Vbr - 14.25V
不同Ipp时电压-箝位(最大值) - 21V
功率-峰值脉冲 - 40W
极性 Unidirectional -
不同频率时电容 - 75pF @ 1MHz
扩散电容Cd 115 pF -
FET类型 齐纳 -
封装/外壳 - SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
反向击穿电压Vbr-min 15 V -
系列 GSOT03C to GSOT36C -
钳位电压Vc 15.4 V 21V
反向工作电压Vrwm 12 V 12V
正向浪涌电流Ifsm 12A(8/20µs) -
通道数 2 Channel -
最大峰值脉冲功率Ppp 300W -
类型 - 齐纳
库存与单价
库存 0 2,900
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
GSOT12C-E3-08 Vishay  数据手册 TVS二极管

暂无价格 0 当前型号
GSOT12C-HE3-08 Vishay  数据手册 TVS二极管

¥0.5201 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.5201
200,000 对比
MMBZ15VALT116 ROHM Semiconductor  数据手册 TVS二极管

SOT-23-3

暂无价格 2,900 对比
GSOT12C-G3-08 Vishay  数据手册 TVS二极管

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
GSOT12C-E3-08 Vishay  数据手册 TVS二极管

暂无价格 0 当前型号
MMBZ15VALT116 ROHM Semiconductor  数据手册 TVS二极管

SOT-23-3

¥0.5534 

阶梯数 价格
460: ¥0.5534
1,500: ¥0.3509
3,000: ¥0.2537
0 对比

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