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IKW50N60TFKSA1  与  IKW50N60TA  区别

型号 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TA
唯样编号 A-IKW50N60TFKSA1 A-IKW50N60TA
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
栅极—射极漏泄电流 - 100nA
电流-集电极脉冲(Icm) 150A -
栅极电荷 310nC -
功率 - 333W
功率-最大值 333W -
输入类型 标准 -
IGBT类型 沟槽型场截止 -
25°C时Td(开/关)值 26ns/299ns -
电流-集电极(Ic)(最大值) 80A -
集电极最大连续电流 Ic - 50A
集电极—发射极最大电压 VCEO - 600V
栅极/发射极最大电压 - 20V
封装/外壳 TO-247-3 PG-TO247-3
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,50A -
电压-集射极击穿(最大值) 600V -
工作温度 -40°C~175°C(TJ) -40°C~175°C
配置 - Single
系列 - TRENCHSTOP
开关能量 2.6mJ -
在25 C的连续集电极电流 - 80A
测试条件 400V,50A,7 欧姆,15V -
反向恢复时间(trr) 143ns -
集电极—射极饱和电压 - 1.9V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IKW50N60TFKSA1 Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-40°C~175°C(TJ) TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 13,800 对比
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

¥10.021 

阶梯数 价格
5: ¥10.021
10: ¥8.349
30 对比
STGW39NC60VD STMicro  数据手册 IGBT晶体管

TO-247-3

暂无价格 0 对比
AUIRGP4063D-E Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 330W TO-247AD 车规

暂无价格 0 对比
IKW50N60TA Infineon  数据手册 IGBT晶体管

333W PG-TO247-3 -40°C~175°C

暂无价格 0 对比

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