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IRF1407STRLPBF  与  IPB100N08S207ATMA1  区别

型号 IRF1407STRLPBF IPB100N08S207ATMA1
唯样编号 A-IRF1407STRLPBF A-IPB100N08S207ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 0.0078 Ohm 250 nC 3.8 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.8mΩ@78A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4700pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 TO-263 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 200nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6.8 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5600pF -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 75V -
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5600pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 75V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1407STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 13,000 对比
BUK6607-55C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK6607-55C_SOT404

¥14.0063 

阶梯数 价格
10: ¥14.0063
100: ¥10.375
400: ¥8.7924
800: ¥8.0664
90 对比
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK9609-75A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9609-75A_SOT404

¥18.1408 

阶梯数 价格
210: ¥18.1408
400: ¥15.3736
800: ¥14.1042
0 对比
IPB80N08S2-07 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N08S207ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比

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