IRFB260NPBF 与 STP40NF20 区别
| 型号 | IRFB260NPBF | STP40NF20 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFB260NPBF | A36-STP40NF20 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 200 V 380 W 150 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40mΩ@34A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 200V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 380W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 56A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4220pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 220nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4220pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 220nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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