IRFR024NTRPBF 与 ZXMN6A08KTC 区别
| 型号 | IRFR024NTRPBF | ZXMN6A08KTC | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFR024NTRPBF | A36-ZXMN6A08KTC-0 | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 75mΩ@10A,10V | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 55V | 60V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 45W(Tc) | 2.12W(Ta) | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 80mΩ@4.8A,10V | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 459 pF @ 40 V | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 5.8 nC @ 10 V | ||||
| 封装/外壳 | D-Pak | TO-252-3 | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 17A | 5.36A(Ta) | ||||
| 系列 | HEXFET® | - | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 370pF @ 25V | - | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 2,000 | 4,700 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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IRFR024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 45W(Tc) 75mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 17A 55V D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 当前型号 | ||||
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STD16NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 30,000 | 对比 | ||||
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STD12NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||
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STD12NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A |
￥1.4011
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0 | 对比 |
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