IRFS4410TRLPBF 与 STB120NF10T4 区别
| 型号 | IRFS4410TRLPBF | STB120NF10T4 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRFS4410TRLPBF | A36-STB120NF10T4 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single HexFet 100 V 200 W 180 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-263-3 | N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 10mΩ@58A,10V | 10.5m Ohms@60A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 200W(Tc) | 312W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D²PAK(TO-263AB) | D2PAK |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 96A | 110A |
| 系列 | HEXFET® | STripFET™ II |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5150pF @ 50V | 5200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 180nC @ 10V | 233nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5150pF @ 50V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 180nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFS4410TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D²PAK(TO-263AB) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||||
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AOB288L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 8.9mΩ@20A,10V |
￥6.0816
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700 | 对比 | ||||||||||
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STB80NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
PSMN009-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 230W 175°C 3V 100V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PSMN013-100BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 170W 175°C 3V 100V 68A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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