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MT41K256M16TW-107:P  与  MT41K256M16HA-125:E  区别

型号 MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16HA-125:E
唯样编号 A-MT41K256M16TW-107:P A-MT41K256M16HA-125:E
制造商 Micron Technology Micron Technology
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 异步动态随机存储器(DRAM) 异步动态随机存储器(DRAM)
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 96-TFBGA 96-TFBGA
工作温度 0°C ~ 95°C(TC) 0°C ~ 95°C(TC)
系列 MT41K -
存储器格式 DRAM DRAM
时钟频率 933MHz 800MHz
存储容量 4Gb (256M x 16) 4Gb (256M x 16)
存储器类型 易失 易失
电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V 1.283 V ~ 1.45 V
访问时间 20ns 13.75ns
存储器接口 并联 并联
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MT41K256M16TW-107:P Micron  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

96-TFBGA

暂无价格 0 当前型号
MT41K256M16HA-125:E Micron 异步动态随机存储器(DRAM)

96-TFBGA

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MT41K256M16HA-125:E Micron 异步动态随机存储器(DRAM)

96-TFBGA

¥24.9389 

阶梯数 价格
2,000: ¥24.9389
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MT41K256M16LY-107:N Micron  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

暂无价格 0 对比
MT41K256M16LY-107:N Micron  数据手册 异步动态随机存储器(DRAM)

¥29.7144 

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2,000: ¥29.7144
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