NDS0610 与 TP0610K-T1-GE3 区别
| 型号 | NDS0610 | TP0610K-T1-GE3 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-NDS0610 | A36-TP0610K-T1-GE3-2 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | P-Channel 60 V 10 Ohm SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 6Ω | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 350mW | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 1.7nC | ||||
| 栅极电压Vgs | - | 1V | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 35ns | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 80mS | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 185mA | ||||
| 系列 | - | TP0 | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 配置 | - | Single | ||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 3V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 23pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 1.7nC @ 15V | ||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 4.5V,10V | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 20ns | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 3,483 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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NDS0610 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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TP0610K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 185mA 350mW 6Ω 60V 1V |
¥0.3471
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3,483 | 对比 | ||||||
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TP0610K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 185mA 350mW 6Ω 60V 1V |
暂无价格 | 109 | 对比 | ||||||
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TP0610K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 185mA 350mW 6Ω 60V 1V |
暂无价格 | 34 | 对比 | ||||||
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TP0610K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 185mA 350mW 6Ω 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |