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NSVMUN5215DW1T1G  与  RN1971TE85LF  区别

型号 NSVMUN5215DW1T1G RN1971TE85LF
唯样编号 A-NSVMUN5215DW1T1G A-RN1971TE85LF
制造商 ON Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-363 US6
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
功率 - 200mW
频率-跃迁 - 250MHz
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 250uA,5mA
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 120 @ 1mA,5V
产品状态 - 在售
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100mA
电阻器-基极(R1) - 10 千欧
晶体管类型 - 2 个 NPN 预偏压式(双)
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NSVMUN5215DW1T1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363

暂无价格 0 当前型号
UMH4NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥1.3989 

阶梯数 价格
1: ¥1.3989
100: ¥0.7932
1,000: ¥0.4854
3,000: ¥0.367
100 对比
UMH4NFHATN ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363

暂无价格 0 对比
PUMH4,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMH4_SOT-363

¥0.242 

阶梯数 价格
570: ¥0.242
1,000: ¥0.1876
1,500: ¥0.1538
3,000: ¥0.1361
0 对比
RN1971TE85LF Toshiba  数据手册 通用三极管

US6

暂无价格 0 对比
PUMD4,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD4_SOT-363

¥0.242 

阶梯数 价格
570: ¥0.242
1,000: ¥0.1876
1,500: ¥0.1538
3,000: ¥0.1361
0 对比

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