PBLS1501Y,115 与 UMD5NTR 区别
| 型号 | PBLS1501Y,115 | UMD5NTR | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-PBLS1501Y,115 | A33-UMD5NTR-0 | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||
| 描述 | PBLS1501Y Series 50 V PNP BISS L oadswitch Digital Transistor - SOT-363 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| R2 | - | 47K/10K Ohms | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | 150mW | ||||||||||
| 特征频率fT | 280MHz | 250MHz,250MHz | ||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 150mV,-250mV | 300mV,-300mV | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||||||
| VCBO | 50V,-15V | - | ||||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | - | ||||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA,-500mA | 100mA,-100mA | ||||||||||
| VEBO | 10V,-6V | - | ||||||||||
| 尺寸 | 2.1*1.25*0.95 | - | ||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V,-15V | 50V,-50V | ||||||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | 68,30 | ||||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN+PNP | ||||||||||
| R1 | - | 47K/4.7K Ohms | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 28 - 35天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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PBLS1501Y,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 300mW 50V,-15V 100mA,-500mA 车规 NPN+PNP |
￥0.9732
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0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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UMD3NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥0.1812
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15,000 | 对比 | ||||||||||||||
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UMD5NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥1.1212
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10,200 | 对比 | ||||||||||||||
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UMD5NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥0.3835
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7,444 | 对比 | ||||||||||||||
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DCX114EU-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 200mW 50V 100mA NPN+PNP |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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UMD5NTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-363 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA NPN+PNP |
￥1.1212
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3,000 | 对比 |
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