PDTA114ET,235 与 MMUN2111LT1G 区别
| 型号 | PDTA114ET,235 | MMUN2111LT1G | ||||||
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| 唯样编号 | A-PDTA114ET,235-CN | A36-MMUN2111LT1G | ||||||
| 制造商 | Nexperia | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB | MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm PNP Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| R2 | - | 10k Ohms | ||||||
| 功率耗散Pd | 250mW | 246mW | ||||||
| 特征频率fT | 180MHz | - | ||||||
| 产品特性 | 带阻/预偏置 | - | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | -150mV | 250mV | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | ||||||
| VCBO | -50V | -50V | ||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||
| 集电极电流Ic | -100mA | -100mA | ||||||
| VEBO | -10V | - | ||||||
| 尺寸 | 2.9*1.3*1 | - | ||||||
| 集电极-发射极Vceo | -50V | -50V | ||||||
| 直流电流增益hFE | 30 | 35 | ||||||
| 晶体管类型 | PNP | PNP | ||||||
| R1 | - | 10k Ohms | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 50,000 | 24,004 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PDTA114ET,235 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 250mW -50V -100mA PNP 带阻/预偏置 |
暂无价格 | 50,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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DTA114EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -50mA PNP |
￥0.744
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332,940 | 对比 | ||||||||||||
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MMUN2111LT1G | ON Semiconductor | BJT三极管 |
SOT-23 246mW -50V -100mA PNP |
￥0.243
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24,004 | 对比 | |||||||||||||
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DTA114ECAHZGT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 200mW -50V -50mA 车规 PNP |
￥0.7126
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15,300 | 对比 | ||||||||||||
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DTA124EKAT146 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-346 200mW -50V -30mA PNP |
暂无价格 | 15,200 | 对比 | ||||||||||||
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DTA114ECAHZGT116 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-23 200mW -50V -50mA 车规 PNP |
￥0.5172
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15,000 | 对比 |
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