首页 > 商品目录 > > > PDTA114EU,115代替型号比较

PDTA114EU,115  与  MMUN2111LT1G  区别

型号 PDTA114EU,115 MMUN2111LT1G
唯样编号 A-PDTA114EU,115 A36-MMUN2111LT1G
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 PDTA114E Series 50 V 100 mA SMT PNP Resistor-Equipped Transistor - SOT-323 MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm PNP Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 - 10k Ohms
功率耗散Pd 200mW 246mW
特征频率fT 180MHz -
产品特性 带阻/预偏置 -
集电极-射极饱和电压 -150mV 250mV
封装/外壳 SOT-323 SOT-23
VCBO -50V -50V
工作温度 -65°C~150°C -55°C~150°C
集电极电流Ic -100mA -100mA
VEBO -10V -
尺寸 2*1.25*0.95 -
集电极-发射极Vceo -50V -50V
直流电流增益hFE 30 35
晶体管类型 PNP PNP
R1 - 10k Ohms
库存与单价
库存 220 22,533
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
240+ :  ¥0.2115
1,500+ :  ¥0.1325
3,000+ :  ¥0.1049
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PDTA114EU,115 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-323 200mW -50V -100mA PNP 带阻/预偏置

暂无价格 220 当前型号
DTA114EU3HZGT106 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-323 200mW -50V -50mA 车规 PNP

暂无价格 36,100 对比
MMUN2111LT1G ON Semiconductor BJT三极管

SOT-23 246mW -50V -100mA PNP

¥0.2115 

阶梯数 价格
240: ¥0.2115
1,500: ¥0.1325
3,000: ¥0.1049
22,533 对比
DTA114EUBTL ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-323FL 200mW -50V -50mA PNP

¥0.4936 

阶梯数 价格
310: ¥0.4936
1,000: ¥0.4114
4,000: ¥0.3409
10,000: ¥0.3174
18,000 对比
DTA144EUAT106 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-323 200mW -50V -30mA PNP

¥0.693 

阶梯数 价格
80: ¥0.693
200: ¥0.273
1,500: ¥0.1966
3,000: ¥0.1559
13,446 对比
DTA124EUAT106 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-323 200mW -50V -30mA PNP

暂无价格 6,200 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售