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首页 > 商品目录 > > > PDTC114ET,215代替型号比较

PDTC114ET,215  与  MMUN2214LT1G  区别

型号 PDTC114ET,215 MMUN2214LT1G
唯样编号 A-PDTC114ET,215-CN A36-MMUN2214LT1G
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 PDTC114E Series 40 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - SOT-23 MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 250mW -
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
功率 - 0.246W
特征频率fT 230MHz -
产品特性 - 带阻/预偏置
电阻器-基底(R1)(欧姆) - 10k
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 47K Ohms
集电极-射极饱和电压 150mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 5mA,10V
VCBO 50V -
工作温度 -65°C~150°C -
集电极电流Ic 100mA -
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
VEBO 10V -
尺寸 2.9*1.3*1 -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
集电极-发射极Vceo 50V -
直流电流增益hFE 30 -
晶体管类型 NPN NPN
库存与单价
库存 15,000 25,592
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
70+ :  ¥0.7319
200+ :  ¥0.282
1,500+ :  ¥0.177
3,000+ :  ¥0.1395
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PDTC114ET,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 100mA NPN

暂无价格 15,000 当前型号
DTC114EKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 50mA NPN

¥0.6972 

阶梯数 价格
80: ¥0.6972
200: ¥0.27
1,500: ¥0.1679
3,000: ¥0.1332
184,468 对比
DTC114YKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 70mA NPN

¥0.8705 

阶梯数 价格
60: ¥0.8705
200: ¥0.2896
1,500: ¥0.2086
3,000: ¥0.1661
90,804 对比
DTC144EKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

200mW 50V 30mA NPN SOT-346

¥0.7017 

阶梯数 价格
80: ¥0.7017
200: ¥0.2709
1,500: ¥0.1686
3,000: ¥0.1339
83,000 对比
MMUN2214LT1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-23 NPN 带阻/预偏置

¥0.7319 

阶梯数 价格
70: ¥0.7319
200: ¥0.282
1,500: ¥0.177
3,000: ¥0.1395
25,592 对比
DTC114YKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 70mA NPN

暂无价格 15,000 对比

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