PDTC114TU,115 与 DTC614TUT106 区别
| 型号 | PDTC114TU,115 | DTC614TUT106 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-PDTC114TU,115 | A32-DTC614TUT106-1 | ||||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||||
| 描述 | PDTC114T Series 50 V 100 mA SMT NPN Resistor-Equipped Transistor - SOT-323 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 200mW | 200mW | ||||||||||||
| 特征频率fT | - | 150MHz | ||||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 150mV | 150mV | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-323 | SOT-323 | ||||||||||||
| VCBO | 50V | 20V | ||||||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||||
| 集电极电流Ic | 100mA | 600mA | ||||||||||||
| VEBO | 5V | 12V | ||||||||||||
| 尺寸 | 2*1.25*0.95 | - | ||||||||||||
| 集电极-发射极Vceo | 50V | 20V | ||||||||||||
| 直流电流增益hFE | 200 | 820 | ||||||||||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||||||||||
| R1 | - | 10K Ohms | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 6,000 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PDTC114TU,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 50V 100mA NPN |
￥0.147
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0 | 当前型号 | ||||||||||||
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DTC144TUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 50V 100mA NPN |
￥0.1981
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11,872 | 对比 | ||||||||||||
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DTC115TUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 50V 100mA NPN |
￥1.1235
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6,000 | 对比 | ||||||||||||
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DTC614TUT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 20V 600mA NPN |
￥1.4044
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6,000 | 对比 | ||||||||||||
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DTC124GUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 50V 100mA NPN |
￥1.1235
|
6,000 | 对比 | ||||||||||||
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DTC144GUAT106 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-323 200mW 50V 100mA NPN |
￥1.1235
|
6,000 | 对比 |
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