PDTC115TM,315 与 DTC115TETL 区别
| 型号 | PDTC115TM,315 | DTC115TETL | ||||||
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| 唯样编号 | A-PDTC115TM,315 | A33-DTC115TETL | ||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006-3 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 250mW | - | ||||||
| 电流-集电极截止（最大值） | - | 500nA(ICBO) | ||||||
| 功率 | - | 3/20W | ||||||
| 特征频率fT | 230MHz | - | ||||||
| 电阻器-基底（R1）（欧姆） | - | 100k | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 100mV | - | ||||||
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - | 300mV @ 100µA,1mA | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-883 | EMT | ||||||
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | - | 100 @ 1mA,5V | ||||||
| VCBO | 50V | - | ||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | - | ||||||
| 频率-跃迁 | - | 250MHz | ||||||
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | - | 50V | ||||||
| VEBO | 6V | - | ||||||
| 尺寸 | 1.0*0.6*0.48 | - | ||||||
| 集电极连续电流 | 100mA | - | ||||||
| 集电极最大允许电流Ic | - | 100mA | ||||||
| 直流电流增益hFE | 100 | - | ||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | - | ||||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,950 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PDTC115TM,315 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-883 250mW 50V 100mA 100mV 100 230MHz NPN |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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DTC115TETL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
EMT NPN |
￥0.2703
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2,950 | 对比 | ||||||||||||
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DTC115TMT2L | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-723 150mW 50V 100mA 300mV 100 250MHz NPN |
￥1.4461
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100 | 对比 | ||||||||||||
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DTC115TMT2L | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-723 150mW 50V 100mA 300mV 100 250MHz NPN |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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DTC115TMT2L | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-723 150mW 50V 100mA 300mV 100 250MHz NPN |
暂无价格 | 1 | 对比 |
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