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PEMD10,115  与  RN49A1FE(TE85L,F)  区别

型号 PEMD10,115 RN49A1FE(TE85L,F)
唯样编号 A-PEMD10,115 A-RN49A1FE(TE85L,F)
制造商 Nexperia Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT666 PNP + NPN BRT Q1BSR=2.2KOHM Q1BE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 300mW -
功率 - 100mW
特征频率fT 230MHz,180MHz -
电阻器-发射极(R2) - 47 千欧
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 250uA,5mA
集电极-射极饱和电压 100mV -
产品状态 - 最后售卖
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100mA
电阻器-基极(R1) - 5.6A(Ta),11.7A(Tc)
封装/外壳 SOT-666 ES6
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
VCBO 50V -
工作温度 -65℃~150℃ -
频率-跃迁 - 200MHz,250MHz
VEBO 5V -
尺寸 1.6*1.2*0.55 -
集电极连续电流 100mA -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 10mA,5V
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
直流电流增益hFE 100 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
晶体管类型 N+P-Channel 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
750+ :  ¥0.8618
1,000+ :  ¥0.6681
2,000+ :  ¥0.5476
4,000+ :  ¥0.4846
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PEMD10,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PEMD10_SOT-666

¥0.8618 

阶梯数 价格
750: ¥0.8618
1,000: ¥0.6681
2,000: ¥0.5476
4,000: ¥0.4846
0 当前型号
RN4905FE,LF(CT Toshiba  数据手册 通用三极管

ES6

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DCX143EH-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-563

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RN1905FE,LF(CT Toshiba  数据手册 通用三极管

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RN49A1FE(TE85L,F) Toshiba 通用三极管

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DCX114EH-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-563

暂无价格 0 对比

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