| 型号 | PEMD6,115 | EMH3T2R | ||||||||||
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| 唯样编号 | A-PEMD6,115 | A-EMH3T2R | ||||||||||
| 制造商 | Nexperia | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||||||
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT666 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | 300mW | 150mW | ||||||||||
| 特征频率fT | - | 250MHz | ||||||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 100mV | 300mV | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-666 | SOT-563 | ||||||||||
| VCBO | 50V | 50V | ||||||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||||
| VEBO | 5V | 5V | ||||||||||
| 尺寸 | 1.6*1.2*0.55 | - | ||||||||||
| 集电极连续电流 | 100mA | 100mA | ||||||||||
| 直流电流增益hFE | 200 | 100 | ||||||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 50V | 50V | ||||||||||
| 晶体管类型 | NPN+PNP | NPN | ||||||||||
| R1 | - | 4.7K Ohms | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 85 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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PEMD6,115 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-666 300mW 50V 100mA 100mV 200 NPN+PNP |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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EMD6T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V,-50V 100mA,-100mA 150mV,-150mV 80,80 250MHz,250MHz NPN+PNP |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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EMH53T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA 150mV 100 250MHz NPN |
￥1.8314
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100 | 对比 | ||||||||||||
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EMH53T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA 150mV 100 250MHz NPN |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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EMH53T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA 150mV 100 250MHz NPN |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||||
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EMH3T2R | ROHM Semiconductor | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-563 150mW 50V 100mA 300mV 100 250MHz NPN |
￥3.8365
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85 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
